憶阻器電學(xué)特性虛擬仿真研究.pdf

1、憶阻器是無(wú)源非線性基礎(chǔ)二端元件，具有天然的記憶功能，能夠記憶流經(jīng)其的電流變化，可以通過(guò)調(diào)節(jié)電壓（或電流）而改變其阻值大小。憶阻器的記憶功能表現(xiàn)為能快速記憶大量連續(xù)數(shù)據(jù)，這為制造出速度更快、更節(jié)能的“即開(kāi)型”計(jì)算機(jī)鋪平了道路，也將會(huì)大大簡(jiǎn)化混沌電路結(jié)構(gòu)，同時(shí)也將使納米量級(jí)的憶阻器在大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路中表現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)越性。憶阻器在關(guān)閉電源之后依舊能夠保存信息，因此憶阻器也正挑戰(zhàn)著數(shù)碼設(shè)備中通用的閃存，成為新的儲(chǔ)存技術(shù)中使能器件的研究對(duì)

2、象。憶阻器獨(dú)特的電學(xué)性能以及可觀的應(yīng)用前景引起了人們廣泛而強(qiáng)烈的關(guān)注。
　　目前憶阻器的研究主要存在兩大問(wèn)題。其一，阻變機(jī)理不夠清晰，即阻變特性由組成材料成分決定還是微觀結(jié)構(gòu)決定。其二，阻變性能缺乏穩(wěn)定性，同條件下，阻變曲線的重復(fù)性不好。
　　本文將采用虛擬仿真的方法，針對(duì)納米量級(jí)鉑金片/二氧化鈦半導(dǎo)體薄膜/鉑金薄片三明治結(jié)構(gòu)的理想憶阻器進(jìn)行探討研究。本文主要工作如下:
　　1、結(jié)合憶阻器的相關(guān)原理與基礎(chǔ)算法，依據(jù)惠普

3、憶阻器理想模型與相關(guān)數(shù)據(jù)，自行設(shè)計(jì)、編寫與調(diào)試仿真程序，完成對(duì)憶阻器的數(shù)學(xué)建模。
　　2、仿真討論了在理想線型雜質(zhì)遷移條件下，摻雜區(qū)長(zhǎng)度、輸入波形形狀、輸入波形幅值、激勵(lì)頻率等各項(xiàng)因素對(duì)理想憶阻器電輸運(yùn)性能的影響。
　　仿真研究中，各項(xiàng)參數(shù)可控可調(diào)，輸出結(jié)果較理想，印證了憶阻器的電學(xué)行為特征。仿真平臺(tái)界面能優(yōu)化憶阻器的結(jié)構(gòu)參數(shù)，能對(duì)憶阻器各項(xiàng)參數(shù)形成宏觀調(diào)控，成為憶阻器研究者的新工具，同時(shí)為憶阻器的研究提供理論指導(dǎo)，有一定參