電針對(duì)腦缺血再灌注大鼠腦內(nèi)HIF-1αmRNA和VEGFmRNA表達(dá)影響的研究.pdf

1、研究目的: 腦血管疾病居高不下的致殘率是影響人類提高生活質(zhì)量和制約社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的巨大障礙。局灶性缺血性腦血管病是腦血管病的主要類型，對(duì)其進(jìn)行深入的病理生理機(jī)制研究和尋找新的治療策略有著重大的意義。局灶性缺血性腦血管病由于血管堵塞致局部腦血流量下降，最終導(dǎo)致組織缺氧和細(xì)胞死亡。此時(shí)機(jī)體需作出反應(yīng)維持機(jī)體氧的平衡與穩(wěn)態(tài)來抵抗這種不利因素，其中一種重要機(jī)制就是誘導(dǎo)新生血管形成，改善側(cè)支循環(huán)，增加腦血流，但這種自發(fā)性血管新生的作用抗腦缺

2、血損傷的能力有限。 對(duì)血管新生(angiogenesi，AG)的分子生物學(xué)機(jī)制的研究發(fā)現(xiàn)新生血管形成是一個(gè)非常復(fù)雜的生物學(xué)過程，受到多種相關(guān)因子的調(diào)控。在血管新生的諸多調(diào)控因子中，血管內(nèi)皮生長(zhǎng)因子(vascularendothelial growth factor，VEGF)是已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的促血管新生作用最強(qiáng)的因子，VEGF通過激活其特異性受體，介導(dǎo)腦缺血后早期的血管新生。VEGF在腦缺血早期即可見到表達(dá)，被認(rèn)為是促進(jìn)血管內(nèi)皮細(xì)胞增

3、殖的關(guān)鍵因子之一，而血管內(nèi)皮細(xì)胞的增殖是新生血管形成的啟動(dòng)環(huán)節(jié)；VEGF還可以改變血腦屏障的通透性，促進(jìn)血管基質(zhì)的破壞，為血管新生提供必要的微環(huán)境；同時(shí)VEGF也是十分重要的神經(jīng)營養(yǎng)因子和保護(hù)因子，并對(duì)神經(jīng)元凋亡具有抑制作用。VEGF的激活有賴于低氧誘導(dǎo)因子-1α(Hypoxia Inducible Factor-1α，HIF-1α)的調(diào)節(jié)，HIF-1α的激活被認(rèn)為是啟動(dòng)低氧反應(yīng)的關(guān)鍵，而它對(duì)VEGF及其受體(flt-1)均可產(chǎn)生調(diào)控作

4、用。本課題選用大腦中動(dòng)脈栓塞制備腦缺血再灌注模型，觀察電針對(duì)VEGFmRNA、HIF-1αmRNA和對(duì)腦內(nèi)血管新生的影響，探討電針抗腦缺血再灌注損傷的可能機(jī)制。 研究方法: 將120只SD大鼠隨機(jī)分為模型組、電針組、假手術(shù)組、正常對(duì)照組，其中模型組、電針組均按缺血30min再灌注6h、12h、1d、2d和4d分為5個(gè)亞組，每個(gè)亞組10只，假手術(shù)組、正常對(duì)照組各10只。采用改進(jìn)的Longa線栓法，制備大腦中動(dòng)脈線栓法腦缺血

5、再灌注模型。并采用Zea—Longa5級(jí)評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)對(duì)模型大鼠神經(jīng)功能障礙評(píng)分，只有神經(jīng)功能障礙在1級(jí)以上的大鼠才能保留下來。電針組選用疏密波刺激“百會(huì)”、“水溝”、雙側(cè)“足三里”穴。運(yùn)用免疫組化法檢測(cè)各組大鼠右側(cè)大腦皮層的CD34陽性微血管密度的變化;運(yùn)用原位雜交技術(shù)檢測(cè)各組大鼠右側(cè)大腦皮層中的VEGFmRNA和HIF-1αmRNA表達(dá)水平；并對(duì)腦缺血再灌注不同時(shí)間點(diǎn)各指標(biāo)的變化和電針干預(yù)的影響進(jìn)行分析。 研究結(jié)果: (1

6、)模型組和電針組缺血再灌注6h亞組CD34陽性微血管密度與正常對(duì)照組、假手術(shù)組比較無顯著性差異(P＞0.05)；模型組和電針組缺血再灌注12h、1d、2d和4d亞組大鼠缺血側(cè)大腦皮層均可見微血管增生明顯，與正常對(duì)照組和假手術(shù)組比較，有顯著性差異(P＜0.05)，表明腦缺血再灌注后缺血區(qū)存在血管新生；電針組缺血再灌注1d、2d和4d亞組微血管密度高于相應(yīng)時(shí)相的模型組(P＜0.05)，說明電針能促進(jìn)腦缺血再灌注后的血管新生； (2)

7、正常對(duì)照組和假手術(shù)組HIF-1αmRNA陽性表達(dá)微弱。模型組和電針組缺血再灌注各亞組大鼠缺血側(cè)大腦皮層HIF-1αmRNA表達(dá)水平升高，兩組比較，模型組和電針組缺血再灌注4d亞組與比較無顯著性差異(P＞0.05);電針組缺血再灌注6h、12h、1d、2d亞組大鼠缺血側(cè)大腦皮層HIF-1αmRNA表達(dá)水平明顯高于相應(yīng)時(shí)相的模型組亞組，兩組間比較有顯著性差異(P＜0.05)，說明電針能在腦缺血再灌注早期上調(diào)缺血區(qū)大腦皮層的HIF-1αmRN

8、A表達(dá)水平。 (3)模型組和電針組缺血再灌注6h亞組缺血側(cè)大腦皮層VEGFmRNA表達(dá)水平與正常對(duì)照組、假手術(shù)組比較無顯著性差異(P＞0.05)；模型組和電針組缺血再灌注12h、1d、2d和4d亞組大鼠缺血側(cè)大腦皮層VEGFmRNA表達(dá)水平升高，與正常組和假手術(shù)組比較有顯著性差異(P＜0.01)，電針組缺血再灌注12h、1d、2d和4d亞組大鼠缺血側(cè)大腦皮層VEGFmRNA表達(dá)水平高于相應(yīng)時(shí)相的模型組亞組，兩組間比較有顯著性差異