側(cè)面傾斜與粗糙化提高GaN基LED出光效率的研究.pdf

1、在本論文中，通過對側(cè)表面粗糙化和傾斜側(cè)面的實驗研究和理論研究，提高氮化鎵基發(fā)光二極管的側(cè)面光出射效率。同時也計算了氮化鎵基發(fā)光二極管的側(cè)面光出射效率。 在闡述人類白光照明的歷史，現(xiàn)狀和未來的基礎(chǔ)上，提出了發(fā)光二極管最終將代替其它所有的照明方式。接著回顧了發(fā)光二極管歷史和半導(dǎo)體材料的歷史，展望了發(fā)光二極管的發(fā)展趨勢。 另外，我討論了發(fā)光二極管的發(fā)光原理，制造工藝過程也被提及。重點介紹了提高發(fā)光二極管光出射效率的方法，比如說

2、光子晶體，蛾眼，表面等離子激元，表面粗糙化，改變晶體形狀和激光剝離技術(shù)。 對本文實驗方案做了理論分析。模擬了光線在氮化鎵基發(fā)光二極管的傳播。采用蒙特卡羅方法和光線追跡法計算了氮化鎵基發(fā)光二極管的出射效率，利用計算機輔助設(shè)計得到了確定的結(jié)果。為實驗成功進(jìn)行，做出了理論保障。 利用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕的方法把光刻膠形狀轉(zhuǎn)移到氮化鎵基發(fā)光二極管上。開始，通過調(diào)節(jié)后烘光刻膠溫度獲得了不同的水平面與側(cè)面之間的角度。然后通過感應(yīng)耦合