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文檔簡介
1、本文在綜述硅基SiO<,2>薄膜研究進展、表征方法、研究方法的基礎(chǔ)上，著重研究用熱氧化法和等離子體化學(xué)汽相沉積法(PECVD)制備硅基SiO<,2>薄膜的工藝，發(fā)展了薄膜制備技術(shù)，給出了SiO<,2>薄膜物理特性研究結(jié)果。 本文采用熱氧化法在Si基上淀積SiO<,2>薄膜：在青島賽瑞達MRl3程控擴散爐中不同的實驗條件下高溫處理Si基片，制得了膜厚為618A均勻致密的無定形SiO<,2>薄膜。最后利用原子力顯微鏡(AFM)、X射
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