IrO-,2--n-ZnO接觸電學特性的研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)是一種具有六方結(jié)構(gòu)的Ⅱ-Ⅵ族寬帶隙半導體材料，室溫禁帶寬度為3.37 eV，激子束縛能高達60 meV，具有優(yōu)良的物理和化學性質(zhì)。ZnO目前廣泛應用于壓電傳感器、變阻器、氣敏元件及光電產(chǎn)業(yè)中具有重要價值的透明導電膜。由于氧化鋅具有較高的激子束縛能(60meV)，保證了其在室溫下較強的激子發(fā)光，因而被認為是制作紫外半導體激光器的候選材料。自1997年首次發(fā)現(xiàn)ZnO室溫紫外受激發(fā)射以來，ZnO研究己成為繼GaN之后紫外發(fā)射材

2、料研究的又一研究熱點。而近年來．ZnO薄膜作為ITO薄膜的替代材料，成為透明導電薄膜的新寵，正引起人們?nèi)找鎻V泛的關(guān)注。ZnO極有潛力在未來的半導體領(lǐng)域中扮演重要角色。而在氧化鋅器件的應用中，高質(zhì)量的金屬/ZnO接觸的制備是至關(guān)重要的問題，不管是歐姆接觸還是肖特基接觸都是ZnO器件應用發(fā)展的前提和基礎(chǔ)。然而目前，在金屬/ZnO接觸的研究中，充當歐姆或肖特基接觸電極角色的多為不具有透明性的金屬材料，使得氧化鋅材料在光電子器件中的應用受到一定

3、的限制。 IrO<,2>是一種既透明又導電的金屬氧化物，具有較低的電阻率和較好的化學穩(wěn)定性。目前，IrO<,2>薄膜已被用作底電極和防熱擴散層等。尤其是它在可見光區(qū)的透光性，引起人們極大的研究興趣。本文中我們采用脈沖激光沉積方法制備了IrO<,2>/ZnO接觸，并對其接觸電學特性和熱穩(wěn)定性進行了初步的研究。實驗結(jié)果表明，IrO<,2>薄膜具有較低的電阻率，在可見光區(qū)呈現(xiàn)透明特性。對IrO<,2>/n-ZnO接觸的Ⅰ-Ⅴ特性測量結(jié)