高壓BiCMOS運算放大器設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路設計和加工技術的發(fā)展,電子信息產(chǎn)品或系統(tǒng)對模擬集成電路性能和性價比的要求越來越高,為了滿足不同應用場合,應用條件下的需求,人們必須針對不同的用戶需求來設計電路。BiCMOS工藝在電路設計方面既具備CMOS電路的特點,又兼?zhèn)潆p極工藝的一些優(yōu)點,因此得到了較為廣泛的應用。而放大器作為模擬集成電路和混合信號集成電路中的最基本單元,有必要對其進行深入的研究。 本論文的主要工作是設計一種高壓高性能的BiCMOS運算放大器電路,

2、電路主放大級采用基本的兩級放大結構,使用Miller補償技術來實現(xiàn)高增益高穩(wěn)定性,放大電路偏置部分采用共源共柵結構,電源抑制比、共模抑制特性比較好,輸出采用兩級發(fā)射級跟隨結構,極大地提高了電路的驅動能力。此外,還針對電路單位增益瞬態(tài)響應上升和下降時間進行了多目標優(yōu)化分析。 論文在ASMC1.2umBCD高壓工藝條件下,利用Hspice仿真軟件對電路的相關性能指標進行了仿真分析,并使用Hspice優(yōu)化模塊對電路進行優(yōu)化分析,滿足指

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