射頻低壓Gilbert混頻電路的研究.pdf

1、通信技術(shù)的飛速發(fā)展，人們已經(jīng)在享受通信給我們帶來的優(yōu)越性，但同時(shí)人類對(duì)高性能大容量通信系統(tǒng)的需求也越來越大。在這種需求的拉動(dòng)下，射頻與通信集成電路的研究已經(jīng)成為熱門。在市場(chǎng)需求的拉動(dòng)下，通信系統(tǒng)對(duì)RFIC的要求也越來越來高，要求它們具備低功耗、多功能、低成本等特點(diǎn)，RFIC技術(shù)終究會(huì)沿著和數(shù)字IC一樣的道路采用CMOS技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。而混頻器就是RFIC研究中至關(guān)重要的一個(gè)模塊，本文就是針對(duì)射頻通信系統(tǒng)中的混頻器模塊來展開研究的。
　

2、　本文首先介紹了混頻器的基本原理、分類，分析了混頻器的增益、噪聲系數(shù)、1dB壓縮點(diǎn)等性能參數(shù)，分析了射頻模式下的RF無源器件模型。
　　然后設(shè)計(jì)了Gilbert單元的CMOS混頻電路，包括混頻器的偏置、負(fù)載和LO本振電路。設(shè)計(jì)一種折疊結(jié)構(gòu)的跨導(dǎo)級(jí)電路和LC尾部諧振電路來實(shí)現(xiàn)低電壓混頻功能。
　　其次基于TSMC0.18μm RF CMOS工藝模型對(duì)設(shè)計(jì)好的混頻及本振電路的各項(xiàng)主要性能參數(shù)在2.5GHz頻率下進(jìn)行了模擬仿真，經(jīng)