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文檔簡介
1、為適應(yīng)單片集成光電子通訊的發(fā)展需要，提出了工藝簡單且容易集成的環(huán)形諧振腔半導(dǎo)體激光器。為了使環(huán)形諧振腔半導(dǎo)體激光器能夠受激發(fā)射，分析了環(huán)形諧振腔半導(dǎo)體激光器的模式特性，彎曲損耗，并進(jìn)行了工藝制作，探索了環(huán)形諧振腔半導(dǎo)體激光器實(shí)現(xiàn)激射的途徑。 在材料上，采用了發(fā)射波長為808nm的GaAs/A1GaAs單量子阱激光器外延材料。在器件結(jié)構(gòu)上，設(shè)計(jì)了窄脊環(huán)形諧振腔和藥片式諧振腔；在器件尺寸上，設(shè)計(jì)了從50μm-200μm一系列半徑大小
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