Ni-SiC復(fù)合沉積電極過(guò)程動(dòng)力學(xué)及鍍層電化學(xué)腐蝕行為研究.pdf

1、本課題主要對(duì)復(fù)合電沉積的機(jī)理進(jìn)行了研究，特別是第二相粒子的引入對(duì)晶粒成核和生長(zhǎng)機(jī)理的影響。應(yīng)用掃描電鏡，X-射線衍射，對(duì)SiC粉體的形貌、結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析，借助精密pH計(jì)就SiC粉體在鍍液中吸附特性進(jìn)行了檢測(cè)。在此基礎(chǔ)上，利用CHI660C電化學(xué)工作站對(duì)純鎳體系、Ni-SiC復(fù)合體系和加入促進(jìn)劑的復(fù)合體系電沉積過(guò)程進(jìn)行了循環(huán)伏安、計(jì)時(shí)安培和交流阻抗譜測(cè)試。論文還就三類鍍層在3.5％NaCl和3.5％NaCl+0.3％H2O2腐蝕體系中的電化

2、學(xué)行為采用極化曲線、交流阻抗等電化學(xué)手段進(jìn)行了監(jiān)測(cè)分析。 試驗(yàn)結(jié)果表明，SiC粉體呈不規(guī)則多邊形，平均粒徑約7 μm，其晶型主要為6H即六方結(jié)構(gòu)。SiC顆粒加入到Watts鍍液中，將會(huì)吸附鍍液中H+離子而使表面荷正電，在鍍液pH為3.70左右，其吸附量最大。 恒電位階躍分析表明，復(fù)合沉積鎳電結(jié)晶形核經(jīng)歷兩相繼過(guò)程，第一過(guò)程沉積伊始形核遵循BFT模型連續(xù)成核機(jī)制，而后隨電位負(fù)移過(guò)渡到BFT瞬時(shí)成核機(jī)制，第二過(guò)程隨電位負(fù)移先

3、后吻合BFT瞬時(shí)成核或SH瞬時(shí)成核理論曲線；無(wú)論Ni-SiC復(fù)合鍍層還是純Ni鍍層，形核弛豫時(shí)間tm隨負(fù)電位的增大，呈現(xiàn)規(guī)律性遞減趨勢(shì)，相應(yīng)的Im值基本相近；SiC粉體的引入導(dǎo)致Ni形核過(guò)電位正移和tm的顯著減小。 交流阻抗表明，非法拉第電位區(qū)，SiC粉體的表面吸附(或附著)改變了電極表面的荷電狀態(tài)，打破了內(nèi)Helmholtz面大分子和水化離子對(duì)電極的屏蔽，大幅降低了復(fù)合體系的電荷傳輸電阻。而在臨近及此后沉積電位區(qū)，純鎳表面雙電