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文檔簡介
1、本文主要致力于開關(guān)電源電磁干擾模型的研究。內(nèi)容涉及到功率半導(dǎo)體器件-PIN二極管、三種基本拓?fù)潆娐?Boost、Buck、Buck-Boost)的輻射EMI建模等方面。 首先,建立電路中元器件的高頻模型,這是開關(guān)電源電磁輻射模型的基礎(chǔ)。 分析了PCB電路板跡線的微帶線和共面帶狀線兩種模型。對于PIN二極管本文采用了適用于EMI分析的精確模型,并在Saber環(huán)境下用MAST硬件描述語言編寫了二極管的仿真程序。 然后
2、,在電路仿真軟件Saber中建立開關(guān)電源仿真電路,研究輻射源特性,建立輻射模型。 利用電阻、電容、電感、PCB跡線、PIN二極管的高頻模型在Saber中建立開關(guān)電源仿真電路,進(jìn)行時域和頻域仿真,分析具體開關(guān)電源主電路PCB跡線上的頻域電流分布。為了在電磁兼容預(yù)測軟件中實現(xiàn)輻射場的求解預(yù)測,從麥克斯韋方程組出發(fā)推導(dǎo)出三種基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)輻射近場的頻域解析表達(dá)式,然后仿真并分析了升壓型開關(guān)電源的輻射場。 最后,分析了核電磁脈沖對
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