脈沖激光法制備兩種不同介電性質(zhì)的鈦酸鍶鋇薄膜.pdf

1、本文介紹了高介電常數(shù)氧化物薄膜在動態(tài)隨機存儲器應(yīng)用上的重要地位和目前存在的主要問題及解決辦法。采用脈沖激光沉積技術(shù)制備了介電性質(zhì)完全不同的兩種Bao．sSro．sTi03(BST)薄膜，一種是氧氣氛下制備的BST薄膜，呈現(xiàn)鐵電一順電相變，符合居里一外斯定律。另一種是低溫氮氣氛下制備的BST薄膜，介電弛豫時間和溫度的關(guān)系符合德拜模型，是熱激發(fā)弛豫。文中給出了產(chǎn)生這種介電特性的初步解釋。 文中利用脈沖激光沉積法，在基片溫度為650~

2、C、20Pa的氧氣氛的條件下，在Pt／Ti／Si02／Si襯底上制備了BST薄膜并分析了薄膜微觀結(jié)構(gòu)和介電性能。實驗結(jié)果表明此時的薄膜具有良好的結(jié)晶度，并且呈現(xiàn)彌散型鐵電一順電相變，在居里點附近具有較高的介電常數(shù)，但介電常數(shù)不超過650。 用同樣的靶材在5500C和1Pa氮氣氛下沉積了BST薄膜。薄膜很均勻，晶粒很小，薄膜結(jié)晶度不好。但此薄膜在常溫下具有很高的介電常數(shù)，在lOkHz下，超過2500，并在200K溫度以上介電常數(shù)基