射頻功率LDMOSFET中的熱累積效應(yīng)研究.pdf

1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文射頻功率LDMOSFET中的熱累積效應(yīng)研究姓名：任振申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：電磁場與微波技術(shù)指導(dǎo)教師：尹文言20090101上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要第II頁件進行研究。本文將運用理論研究的方法分析LDMOSFET在電磁脈沖影響下的熱效應(yīng)。通過有限元方法對典型LDMOSFET進行瞬態(tài)電熱建模仿真，獲得電磁脈沖影響下LDMOSFET器件的熱效應(yīng)，以分析不同參數(shù)電磁脈沖對器件的干擾和損傷程度。本文的主要研究內(nèi)容如下

2、：第二章將分析LDMOSFET的基本結(jié)構(gòu)及特點。對典型的LDMOSFET進行器件結(jié)構(gòu)建模。第三章將介紹半導(dǎo)體器件二維仿真的理論基礎(chǔ)，包括器件參數(shù)和模型建立所需的基本方程和邊界條件；建立二維穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)模型下半導(dǎo)體器件所滿足的剛性、耦合、非線性偏微分方程組，并對邊界條件及參數(shù)的確定進行討論。第四章將介紹利用時域有限元方法進行器件數(shù)值模擬的步驟，建立基于時域有限元方法的二維穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)的半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬矩陣，然后運用FTRAN語言對方程組進行