雙摻雜鈮酸鋰晶體中雙色復(fù)用存儲技術(shù)研究.pdf

1、體全息存儲技術(shù)以其在存儲容量和存儲速率上的獨(dú)特優(yōu)勢，成為頗具潛力的下一代存儲技術(shù)。光折變晶體以其大的動態(tài)范圍及易于大尺寸生長等特性成為一種非常重要的體全息存儲材料，但由于光折變晶體的動態(tài)特性，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)極易丟失。光折變晶體的易失性存儲問題，已成為影響全息存儲技術(shù)能否實(shí)用化的關(guān)鍵問題之一。采用具有深淺兩個摻雜中心的雙摻雜鈮酸鋰晶體，一種全光過程的雙色固定技術(shù)被提出并成為了一種最具潛力的體全息存儲固定技術(shù)。 目前雙色復(fù)用存儲技術(shù)

2、的研究取得了一定的進(jìn)展，但仍存在很多問題，其中門光束對已記錄全息圖的擦除以及等衍射效率的曝光時(shí)序問題一直是需要解決的關(guān)鍵問題。 本論文的主要工作是對雙摻雜鈮酸鋰晶體中的雙色全息復(fù)用存儲技術(shù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究。目的是通過實(shí)驗(yàn)研究，優(yōu)選晶體材料、優(yōu)化記錄條件和記錄方案，在雙摻雜鈮酸鋰晶體中實(shí)現(xiàn)均衡衍射效率，良好圖像質(zhì)量的全息圖像的非易失性存儲。 存儲材料是影響全息存儲性能的一個最重要的因素。本論文通過實(shí)驗(yàn)研究了不同摻雜組分的雙摻雜

3、鈮酸鋰晶體的全息存儲性能、以及不同氧化狀態(tài)的影響。實(shí)驗(yàn)表明LiNbO<,3>：Fe：Cu晶體和LiNO<,3>：Ce：Cu晶體的固定效率高，有利于實(shí)施多幅全息圖的復(fù)用記錄，依據(jù)此結(jié)果選取合適的晶體樣品進(jìn)行本論文的實(shí)驗(yàn)研究工作。 我們在LiNbO<,3>：Fe：Cu晶體中進(jìn)行了全息光柵的雙色存儲實(shí)驗(yàn)研究，通過分析各種實(shí)驗(yàn)條件對全息性能的影響，確定雙色全息記錄的優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件。在此基礎(chǔ)上，分析研究了雙色全息復(fù)用存儲中的光擦除特點(diǎn)，采用

4、直接記錄方案，設(shè)計(jì)合適的曝光時(shí)序，成功實(shí)現(xiàn)了50幅等衍射效率全息光柵的雙色角度復(fù)用存儲。 實(shí)驗(yàn)研究了敏化后的雙摻雜鈮酸鋰晶體的雙色復(fù)用的存儲特性，指出在預(yù)曝光記錄方案下、采用簡單的等時(shí)曝光實(shí)現(xiàn)等衍射效率多重復(fù)用存儲的可能性，并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。利用等時(shí)曝光在敏化后的LiNbO<,3>：Fe：Cu晶體中實(shí)現(xiàn)了準(zhǔn)等衍射效率的雙色全息復(fù)用存儲。 本論文還對全息圖像的雙色復(fù)用存儲進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。初步分析了雙摻雜鈮酸鋰晶體中存儲全息