電弧等離子體制備低維納米材料.pdf

1、正是納米科技，使得人類認(rèn)識(shí)和改造物質(zhì)世界的手段和能力延伸到了原子和分子尺度。因此，作為納米技術(shù)應(yīng)用基礎(chǔ)的納米材料，就當(dāng)仁不讓地成為了目前材料科學(xué)研究的一個(gè)熱點(diǎn)。納米材料的制備方法按原料狀態(tài)可分為三大類：固相法、液相法和氣相法。本文主要介紹了屬于氣相法的直流放電等離子體技術(shù)，以及可以與之相結(jié)合制備各種低維納米材料的熱處理法和水熱法等。樣品制備出來(lái)以后，利用X射線衍射儀(XRD)、透射電鏡(TEM)、高分辨透射電鏡(HRTEM)、場(chǎng)發(fā)射掃描

2、電鏡(FESEM)、光致發(fā)光(PL)，紫外-可見(jiàn)吸收光譜等儀器設(shè)備，對(duì)樣品的形貌、結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行測(cè)試與分析，得到的結(jié)果主要有： (一)Si納米線的制備。1、用直流放電等離子體電弧法直接制備出了Si納米線。2、對(duì)Si納米線的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征和分析，透射電鏡和掃描電鏡的結(jié)果表明：所制得的Si納米線粗細(xì)比較均勻，直徑約為10-20納米。3、討論并闡述了Si納米線的生長(zhǎng)機(jī)理。4、研究了Si納米線的光致發(fā)光(PL)，得到位于紫外區(qū)(3

3、63nm)的發(fā)光峰。 (二)SbSn納米管的制備。1、運(yùn)用直流放電等離子體結(jié)合熱處理的方法成功制備了SbSn納米管。2、對(duì)制備所得到的樣品進(jìn)行了形貌和結(jié)構(gòu)的分析和表征。結(jié)果表明所制備的樣品為多晶SbSn納米管，表面粗糙，直徑均勻，約為200nm。3、提出了一種可能的SbSn納米管生長(zhǎng)機(jī)理。 (三)水熱法制備硫化銻納米片等材料。1、采用水熱法制備了以納米片為主的Sb2S3納米材料。2、對(duì)樣品的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征和分析，結(jié)