APCVD法制備TiO-,2-薄膜及其光催化活性評價(jià).pdf

1、太陽能轉(zhuǎn)換材料、環(huán)境凈化材料是當(dāng)前材料研究的熱點(diǎn)，而既是太陽能轉(zhuǎn)換材料、又是環(huán)境凈化材料的納米二氧化鈦，更是當(dāng)前材料研究的熱點(diǎn)中的熱點(diǎn)。小面積的二氧化鈦薄膜的制備方法已有大量報(bào)道，而大面積薄膜的制備方法卻很少報(bào)道，尤其是大面積納米二氧化鈦薄膜的常壓化學(xué)氣相沉積制備方法則只有專利報(bào)道，本論文則報(bào)道在這方面所做的工作。
　　 薄膜厚度均勻性是大面積納米二氧化鈦薄膜的首要控制參數(shù)，研究結(jié)果表明，(1)薄膜厚度均勻性主要依賴于CVD反應(yīng)

2、器中氣流場和溫度場的分布，而這些分布都依賴于CVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)；(2)薄膜厚度均勻性隨著襯底和反應(yīng)器之間距離的增加而增加?；谝陨涎芯拷Y(jié)果，本文設(shè)計(jì)了一種均布器實(shí)現(xiàn)了氣流場和溫度場的均勻分布，從而改善了薄膜厚度的均勻性。
　　 沉積速率是薄膜制備技術(shù)研究中主要研究參數(shù)，研究表明，(1)在一定溫度范圍內(nèi)，沉積速率隨著襯底溫度的升高而增加；(2)沉積速率隨著氣氛中水蒸氣和氧氣濃度的增加而增加，直至飽和；(3)沉積速率隨著襯底和反應(yīng)器