超薄芯片Backend工藝分析及失效研究.pdf

1、最近幾年，超薄芯片已成為半導(dǎo)體工業(yè)的一種關(guān)鍵技術(shù)。它有助于開發(fā)諸如智能卡和視頻識(shí)別(RFID)器件等技術(shù)，并已成為在最新型的移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)和其他小型、輕便且功能強(qiáng)大的電子設(shè)備中日趨流行的堆棧式芯片封裝的一種重要方法。 在晶圓減薄到130μm以下時(shí)，對(duì)于backend(后段)工藝，制造商無(wú)法僅僅使用機(jī)械背面磨削的減薄方法，必須更多地關(guān)心諸如晶圓的抗斷強(qiáng)度、粗糙度、背金質(zhì)量和切片質(zhì)量等各種參數(shù)。目前國(guó)外主要的晶元代

2、工廠常常使用SEZ等化學(xué)減薄及去應(yīng)力方法來(lái)達(dá)到減少應(yīng)力碎片及增加黏附性的目的，然而這種方法設(shè)備投入大，且設(shè)備及化學(xué)品全部為進(jìn)口產(chǎn)品，生產(chǎn)成本高昂，不利于工廠大生產(chǎn)的要求。 本文主要超薄芯片的背面金屬化中的一些問(wèn)題，闡述了兩種主要的背面金屬化工藝的建立，并解決了這兩個(gè)工藝中關(guān)鍵問(wèn)題，使得工藝獲得好的成品率，提高了產(chǎn)品的可靠性，實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)。 流程(一)介紹了一種通過(guò)技術(shù)轉(zhuǎn)移在上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司(ASMC)開發(fā)的

3、一種特殊工藝，工藝采用特殊背面去應(yīng)力工藝，通過(guò)機(jī)械應(yīng)力和背銀沾污的控制，將背面金屬和硅片的黏附力和金硅接觸電阻大大改善。論文同時(shí)闡述了一種自創(chuàng)的檢驗(yàn)黏附力的方法，通過(guò)這種方法的監(jiān)控，大幅度提高了產(chǎn)品良率，本論文的研究課題來(lái)源于企業(yè)的大規(guī)模生產(chǎn)實(shí)踐，對(duì)于同類的低壓低導(dǎo)通電阻VDMOS產(chǎn)品有實(shí)用的參考意義。 流程(二)討論了在半導(dǎo)體器件中應(yīng)用最為廣泛的金一硅合金工藝的失效模式及其解決辦法。并介紹了我公司獨(dú)創(chuàng)的刻蝕一淀積一合金以及應(yīng)力