納米電磁屏蔽及隱身的納米吸波材料與吸波結(jié)構(gòu)在武器裝備中應(yīng)用.pdf

1、隨著雷達(dá)等探測(cè)跟蹤技術(shù)的發(fā)展，隱身技術(shù)受到各國(guó)的高度重視。為了提高軍事目標(biāo)的生存能力，吸波材料己廣泛應(yīng)用在各國(guó)的武器裝備上。由于納米材料能極大的提高吸波性能，業(yè)已成為當(dāng)前吸波材料領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。 本文從電磁波和介質(zhì)的作用理論出發(fā)，應(yīng)用滿(mǎn)足廣義匹配規(guī)律的多層吸波材料功率反射率公式。通過(guò)結(jié)合實(shí)際材料的數(shù)值計(jì)算，研究了單層材料在入射波長(zhǎng)8毫米的電磁波下，功率反射率R<,P>與材料厚度d、廣義匹配常數(shù)M、相對(duì)復(fù)介電常數(shù)實(shí)部ε＇<,r>及

2、相對(duì)復(fù)磁導(dǎo)率實(shí)部μ＇<,r>的關(guān)系。提出了吸波材料設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)選取μ＇<,r>和M較大及ε＇<,r>較小的材料的觀點(diǎn)。 同時(shí)本文還結(jié)合廣義匹配規(guī)律，推導(dǎo)出多層干涉型吸波材料的厚度公式和功率反射率公式。并用同樣的方法對(duì)單層干涉材料進(jìn)行數(shù)值計(jì)算，研究了各參數(shù)之間的關(guān)系。提出了設(shè)計(jì)單層干涉型吸波材料的一般規(guī)律：如果是針對(duì)低頻電磁波，應(yīng)選取較大的μ＇<,r>和M及較小的ε＇<,r>。如果針對(duì)高頻電磁波，設(shè)計(jì)靈活性更大，但選擇大的μ＇<,r>