CVD B-,x-C涂層的微觀結(jié)構(gòu)、沉積特性、晶化及氧化行為.pdf

1、連續(xù)纖維增強的碳化硅陶瓷基復(fù)合材料(CMC—SiC)在高于450℃的氧化環(huán)境中，會因纖維和熱解碳界面層的氧化而縮短使用壽命?；瘜W(xué)氣相沉積/滲透(CVD/CVI)制備的BxC涂層/基體能在600—1000℃的氧化氣氛中生成液態(tài)的氧化物，填封陶瓷基復(fù)合材料的裂紋和孔隙，對材料起到很好的抗氧化保護作用。 本文以CVDBxC涂層為研究對象，通過對不同沉積工藝條件下制備的BxC涂層進行微結(jié)構(gòu)分析，建立了沉積參數(shù)與產(chǎn)物微觀結(jié)構(gòu)、物相組成之間

2、的關(guān)系；探索了CVDBxC的沉積機理；考查了CVDBxC沉積產(chǎn)物的晶化及氧化行為。主要研究內(nèi)容及結(jié)果如下： 1、研究了CVDBxC的微觀結(jié)構(gòu)和物相組成。通過不同工藝條件下制備的BxC涂層的微觀分析發(fā)現(xiàn)，CVDBxC的微觀結(jié)構(gòu)主要有兩種：一種表面呈磚塊堆積狀形貌，B含量高，基本不含游離碳，具有一定的結(jié)晶度；另一種表面呈菜花狀形貌，B含量低，含有游離碳，涂層為非晶涂層。 2、研究了沉積參數(shù)與沉積產(chǎn)物微觀結(jié)構(gòu)、物相組成之間的關(guān)

3、系及CVDBxC的沉積機理。通過對BxC涂層的微結(jié)構(gòu)分析得到：沉積溫度、BCl3/CH4流量比能影響沉積產(chǎn)物的微觀結(jié)構(gòu)或物相組成，而H2/CH4流量比對沉積產(chǎn)物的影響不明顯；CVDBxC可以通過兩種不同的機理過程進行沉積。 3、研究了CVDBxC涂層的晶化及氧化行為。涂層在：1600-2000℃，氬氣；400℃、700℃、1000℃、1200℃，干氧；700℃、1000℃、1200℃，濕氧；模擬服役環(huán)境，四種環(huán)境中進行處理，處理