KI-AgI三元化合物和有序介孔氧化硅SBA-15的制備及物性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文大體可分為兩部分：一是研究了KI-AgI體系的兩種化合物KAg4I5和K2AgI3的制備及其物性；二是研究了有序介孔二氧化硅SBA-15材料的制備，并對其紫外光致發(fā)光特性進(jìn)行了研究。 ●采用固相反應(yīng)法制備了KAg4I5和K2AgI3。并用交流阻抗譜儀測量了KAg4I5以及Agl-KAg4I5復(fù)合體系的離子電導(dǎo)率，發(fā)現(xiàn)高溫下AgI-KAg4I5的電導(dǎo)率比單相的AgI或KAg4I5要高，這可能是兩相之間產(chǎn)生了大量的界面，形成了較

2、高的缺陷密度，由于這些區(qū)域結(jié)構(gòu)比較松弛，可以為Ag+離子提供較多的運(yùn)動通道；此外我們還對K2AgI3進(jìn)行了PL分析，并發(fā)現(xiàn)了2.25 eV處的光致發(fā)光峰，根據(jù)分析，認(rèn)為這一處的發(fā)光可能與激子和禁帶中的某一個(gè)缺陷能級有關(guān)。 ●采用水熱法制備了有序介孔氧化硅材料SBA-15，對其結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了研究。在制備的有序介孔氧化硅SBA-15中，發(fā)現(xiàn)了位于3.8 eV光致發(fā)光峰。試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，這一發(fā)光在空氣中放置會顯著增強(qiáng)。通過在不同溫度和氣氛

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