射頻集成電路片上電感的分析與優(yōu)化設(shè)計.pdf

1、本文建立了包含電磁現(xiàn)象以及對電感性能有重要影響的寄生電阻和寄生電容的物理模型。在此基礎(chǔ)上，分別從集成電路設(shè)計和工藝實現(xiàn)的角度提出了電感的優(yōu)化方法。研究表明，在不改變工藝的前提下，利用一些優(yōu)化技術(shù)可以提高電感的性能。采用0.35μm的4層金屬互連線成功實現(xiàn)了優(yōu)化的圓形電感。試驗結(jié)果證明了理論的精度，驗證了優(yōu)化方法的有效性?！　”疚囊跃€圈耦合系數(shù)和電感分布電容模型為基礎(chǔ)，設(shè)計優(yōu)化了平面螺旋電感和疊層電感。在相近的芯片面積上，實現(xiàn)的疊層電感

2、值為9.9nH，平面螺旋電感只有1.3nH。而要實現(xiàn)1nH電感，4層串連結(jié)構(gòu)電感的面積是平面螺旋電感的四分之一。金屬3和金屬4并聯(lián)，再與并聯(lián)的金屬1和金屬2串連，該結(jié)構(gòu)電感最大品質(zhì)因數(shù)(Qmax)是相同電感值的金屬3與金屬4并聯(lián)平面螺旋電感Qmax的210％?！　”疚氖褂脴藴实腃MOS工藝，在電感下面的n阱上進行p+擴散，形成水平和垂直的雙pn結(jié)。將p+擴散層接地來阻止電感電場到達電感下面的襯底。增大n阱的電壓，橫向和縱向的pn結(jié)的耗