異質結帶階計算簡化模型及應用與磁場下單量子阱中電子的能帶結構.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文的工作可分兩部分.第一部分是關于異質結帶階的研究.第二部分研究周期性磁場下單量子阱中電子的能帶結構.在帶階研究中,我們主要對應變層異質結的帶階進行研究.首先采用基于密度泛函理論框架下的模守恒贗勢法計算得到體半導體材料的能帶結構,接著我們把平均鍵能方法推廣應用于應變層異質結的價帶和導帶帶階研究.該文的第二部分著重研究周期性磁場下GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As單量子阱中電子的能帶.我們采用脈沖磁場,利用有效質量近似,對電子

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