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文檔簡介
1、本論文的資助來源為:國家“973”重點基礎研究發(fā)展計劃(批準號:2003CB314901)、國家“863”高技術研究發(fā)展計劃(批準號:2003AA311070)和集成光電子學國家重點聯(lián)合實驗室開放課題。 半導體自組織生長量子點是一種新型半導體材料,它在納米電子學、光電子學和生命科學中有廣泛的應用前景,本論文緊密圍繞光電子材料和器件相關的理論和技術展開,重點研究了半導體量子點系統(tǒng)中的應力應變的解析計算,以及運用動力學蒙特卡羅方法,
2、模擬量子點的動態(tài)生長過程。 首先,運用解析方法對量子點的結構進行分析,通過對積分核函數進行計算,可以得到各種量子點結構的應力應變分布。具體分析了常見的金字塔形和圓錐形等結構的量子點,并且與有限元方法計算得到的結果進行了比較。結果表明,這種方法能夠更加普遍地得到量子點的結構的應力應變分布,提高了計算速度,可以方便地應用于量子點的電子能級計算。 其次,利用計算機模擬了量子點的動態(tài)生長,通過建立動力學蒙特卡羅方法在均勻襯底和非
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