雙向充電高頻磁刺激電路的研制.pdf

1、經(jīng)顱磁刺激技術是一種通過產生快速變化的磁場在腦內感應出電場，從而影響神經(jīng)電位活動進而達到檢測神經(jīng)通路傳導或對精神、心理疾病的治療作用。該技術近十幾年來發(fā)展較快，已經(jīng)應用于臨床，并取得了較好的效果。但由于達到神經(jīng)電位閾值所需的磁刺激脈沖能量較大，對電源功耗的要求限制了磁刺激的高頻應用，本文研制了一種用于高頻磁刺激儀的雙向充電電路，用以降低功率消耗。 本文設計了單片機控制的多路IGBT高速大功率開關實現(xiàn)對無極性電容進行正反雙向向充電

2、和電容對電感單向放電的控制，設計中運用了RCL電路欠阻尼狀態(tài)特性。電路工作時，先對電容正向充電至預設電壓，關斷充電開關，開通放電開關，電容對電感放電，當電容放電達到周期內反向最大值時斷開放電電路，將剩余的電能儲存，開通反向充電開關，進行電容反方向充電至預設值，再次開通放電開關，電容對電感放電，此為一個完整的刺激周期。本研究中對系統(tǒng)軟硬件設計的電路進行了實驗驗證，實驗參數(shù)為電源輸出100V，刺激頻率最高100HZ，放電時間250us，使用

3、了六組線圈(RL參數(shù)不同)進行試驗，對不同參數(shù)的磁刺激電路使用正反雙向充電、單向放電與傳統(tǒng)的單向充放電進行了比較，并得到了在不同RCL參數(shù)(不同阻尼系數(shù))時降低的能量消耗。結果表明本文設計的方法可以有效降低高頻磁刺激儀功耗，提高磁刺激儀器能量利用率。本研究中還對放電線圈產生的磁場和感應電場進行了測試，其波形特征符合電路設計的理論波形特征，可以對神經(jīng)刺激進行有效刺激。本論文提出的電容雙向充電電路為磁刺激儀提供了一個新模式，為磁刺激儀技術及