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文檔簡介
1、密實SnO<,2>電極陶瓷材料具有良好導電性能和抗玻璃液侵蝕性能,是玻璃電熔技術的關鍵組成部分。論文以SnO<,2>、CuO、Sb<,2>O<,3>粉體為原料,采用無壓燒結技術制備含CuO與8b<,2>O<,3>復合添加劑的SnO<,2>基電極陶瓷材料,并系統(tǒng)研究其相關性能。 燒結致密化研究表明,CuO的最佳添加量為0.5~1.0mol%。當CuO含量為0.5或1.0mol%,Sb<,2>O<,3>含量不宜超過CuO。SnO<,
2、2>-CuO-Sb<,2>O<,3>電極陶瓷的燒結致密化有兩種情況:一是當Sb<,2>O<,3>含量少于CuO含量時,在晶界區(qū)域的CuO在高溫時產(chǎn)生富銅的液相起到粘結作用占主導地位,促進SOnO<,2>基陶瓷燒結致密化;二是當Sb<,2>O<,3>含量多于CuO含量時,與SnO<,2>發(fā)生固溶反應占主導地位,抑制SnO<,2>基陶瓷燒結致密化。 電學性能測量結果表明,SnO<,2>-1.0mol%CuO-1.0mol%Sb<,2
3、>O<,3>電極陶瓷具有良好的綜合導電性能,其室溫溫電阻率為5.87×10<'-2>Ω·cm,700℃中溫電阻率為5.96×10<'-3>Ω·cm。當SnO<,2>-CuO-Sb<,2>O<,3>。陶瓷材料未燒結致密時,增加CuO含量,增加載流子遷移率,進而導致電阻率降低;當SnO<,2>-CuO-Sb<,2>O<,3>陶瓷材料已燒結致密時,增加CuO含量增加晶界富Cu相的厚度,使得載流子遷移率下降,從而導致電阻率升高。 力學強
4、度測量結果表明,當Sb<,2>O<,3>含量不超過CuO含量時,Sb<,2>O<,3>的加入增加了SnO<,2>-CuO-Sb<,2>O<,3>基電極陶瓷的抗彎強度,主要原因是與SnO<,2>發(fā)生的固溶反應導致了晶粒的細化。SnO<,2>-0.5mol%CuO-0.25mol%Sb<,2>O<,3>電極陶瓷材料的抗彎強度達到最高值190MPa。 采用玻璃液侵蝕靜態(tài)測量方法測量SnO<,2>-CuO-Sb<,2>O<,3>基電極陶
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