SnO-,2--CuO-Sb-,2-O-,3-電極陶瓷的制備及其性能研究.pdf

1、密實SnO<,2>電極陶瓷材料具有良好導電性能和抗玻璃液侵蝕性能，是玻璃電熔技術的關鍵組成部分。論文以SnO<,2>、CuO、Sb<,2>O<,3>粉體為原料，采用無壓燒結技術制備含CuO與8b<,2>O<,3>復合添加劑的SnO<,2>基電極陶瓷材料，并系統(tǒng)研究其相關性能。 燒結致密化研究表明，CuO的最佳添加量為0.5～1.0mol％。當CuO含量為0.5或1.0mol％，Sb<,2>O<,3>含量不宜超過CuO。SnO<,

2、2>-CuO-Sb<,2>O<,3>電極陶瓷的燒結致密化有兩種情況：一是當Sb<,2>O<,3>含量少于CuO含量時，在晶界區(qū)域的CuO在高溫時產(chǎn)生富銅的液相起到粘結作用占主導地位，促進SOnO<,2>基陶瓷燒結致密化；二是當Sb<,2>O<,3>含量多于CuO含量時，與SnO<,2>發(fā)生固溶反應占主導地位，抑制SnO<,2>基陶瓷燒結致密化。 電學性能測量結果表明，SnO<,2>-1.0mol％CuO-1.0mol％Sb<,2

3、>O<,3>電極陶瓷具有良好的綜合導電性能，其室溫溫電阻率為5.87×10<'-2>Ω·cm，700℃中溫電阻率為5.96×10<'-3>Ω·cm。當SnO<,2>-CuO-Sb<,2>O<,3>。陶瓷材料未燒結致密時，增加CuO含量，增加載流子遷移率，進而導致電阻率降低；當SnO<,2>-CuO-Sb<,2>O<,3>陶瓷材料已燒結致密時，增加CuO含量增加晶界富Cu相的厚度，使得載流子遷移率下降，從而導致電阻率升高。 力學強

4、度測量結果表明，當Sb<,2>O<,3>含量不超過CuO含量時，Sb<,2>O<,3>的加入增加了SnO<,2>-CuO-Sb<,2>O<,3>基電極陶瓷的抗彎強度，主要原因是與SnO<,2>發(fā)生的固溶反應導致了晶粒的細化。SnO<,2>-0.5mol％CuO-0.25mol％Sb<,2>O<,3>電極陶瓷材料的抗彎強度達到最高值190MPa。 采用玻璃液侵蝕靜態(tài)測量方法測量SnO<,2>-CuO-Sb<,2>O<,3>基電極陶