碳化硅離子注入及歐姆接觸研究.pdf

1、本文對SiC 離子注入和歐姆接觸進行了深入的研究。本文從金屬半導體接觸的實驗過程入手，闡述了本文所建立的SiC 歐姆接觸模型所涉及到的半導體器件物理理論，包括金屬半導體肖特基接觸理論、Nn 異質結理論和nn +理論。根據(jù)大量的實驗文獻，研究了金屬半導體界面在高溫退火過程中發(fā)生的反應和生成物，分別對p 型和n 型的SiC 歐姆接觸的載流子輸運機理進行深入的研究，提出了說明p 型和n 型歐姆接觸形成的能帶模型，即漸變異質結結構模型，并且對本

2、文所提出的模型使用器件模擬軟件ISE TCAD 進行了二維I-V 特性模擬驗證，對n 型和p 型SiC 歐姆接觸提出了統(tǒng)一的物理模型。在p 型和n 型SiC 歐姆接觸的已有工藝基礎上，進行歐姆接觸制造工藝的改進，以期達到良好的穩(wěn)定性。對歐姆接觸的制造和工藝具有一定的指導意義。 按照前面對SiC 歐姆接觸模型的研究，設計了相關的實驗。在介紹實驗流程之前，首先介紹了SiC 中的雜質、離子注入技術、離子注入存在的問題，以及離子注入后的

3、退火過程中，所涉及到的退火掩膜問題。然后詳細研究了SiC 歐姆接觸制造工藝中的關鍵工藝流程，最后介紹了剛剛流片結束的實驗流程和實驗結果，實驗取得了良好的結果。 比接觸電阻的測試是評價所制造的歐姆接觸水平的一個重要手段。本文最后介紹了歐姆接觸比接觸電阻的各種測試方法，探討了最常用的矩形TLM 法和其他一些常用的測試方法，比較了各種測試方法在歐姆接觸比接觸電阻測試中的優(yōu)缺點，對最常用的矩形TLM 法引入的誤差進行了分析并討論了修正方