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文檔簡介
1、該文就提供了幾種互連延時模型,并對模型的結(jié)果進行了計算,并與模擬結(jié)果進行比較分析,得出了模型的準確程度.對傳統(tǒng)的分布RC模型進行了改善,但隨著互連向深亞微米級發(fā)展,寄生效應(yīng)的影響尤其是電感的影響,必須考慮,因此建立新的RLC傳輸模型是很必要的,該文引進了這種新的互連模型,并對CMOS驅(qū)動互連線和芯片之間互連兩種情況進行了分析,得出延時模型的可靠性及實用性,以及對改善延時的指導(dǎo)作用.互連串擾及延遲引起的互連寄生效應(yīng)影響的增長,并從電遷徙和
2、功率損耗方面考慮,為了提高電路性能及可靠性,刺激了低電阻率銅和低介電常數(shù)介質(zhì)的引入.將這些新材料綜合運用于集成電路的制作是一項非常艱難的任務(wù).而通過互連延時模型的模擬與計算,得出新材料即銅和低k介質(zhì)對延時的改善程度,及互連線的幾何參數(shù)對互連延時的影響,并根據(jù)這些確定最優(yōu)尺寸來適應(yīng)集成電路設(shè)計的需要.文中還談到了新設(shè)計方法即插入中繼緩沖和可變間隙設(shè)計對延時的影響.試驗方面則進行了銅互連線的TDDB試驗,來驗證低k介質(zhì)對互連性能的改善.總之
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