大芯片高柵壓CMOS器件工藝開發(fā)和成品率提升.pdf

1、本工藝是通過技術(shù)轉(zhuǎn)移在上海先進(jìn)半導(dǎo)體公司開發(fā)的一種CMOS工藝，本工藝具有大芯片高柵壓的特點。本工藝中每片6英寸晶片只包含209個芯片，每個芯片包含有7.67mm2的柵電容，同時工作在12V的高柵壓下(200A柵氧)，這些特點構(gòu)成了本工藝特殊的技術(shù)難度。論文通過大量的實踐，對其中的硅片邊緣失效，柵氧質(zhì)量，在線顆粒三個關(guān)鍵問題進(jìn)行了研究和解決，大幅度提高了產(chǎn)品良率。　　針對硅片邊緣失效的問題，分析了PCM參數(shù)與良率之間的相關(guān)性，確認(rèn)是由

2、于用RTP代替爐管作TiSi2FORMATION而造成POLY電阻率的差異，并用POLY注入代替POCL3摻雜解決了此問題；本工藝大面積的柵電容使得柵氧質(zhì)量成為工藝能否提高成品率的關(guān)鍵一環(huán)。本文對影響柵氧質(zhì)量的因素作了大量的分析與實驗，并通過改善預(yù)清洗方式和降低注入束流改善了良率；最后，對工藝過程中發(fā)現(xiàn)的POLY吸潮/BPSGHAZE等隨機(jī)失效問題進(jìn)行了研究與優(yōu)化，同時，通過選擇不同刻蝕機(jī)臺改善了多晶硅柵層次的顆粒度。本論文的研究課題來