ATO納米導(dǎo)電粉體的制備及氧化物摻雜改性研究.pdf

1、本論文系統(tǒng)介紹了ATO(銻摻雜氧化錫)納米導(dǎo)電粉體的特性，導(dǎo)電機理以及常見制備方法。ATO導(dǎo)電粉體具有良好的導(dǎo)電性，淺色透明性等優(yōu)點，是目前抗靜電材料中的研究熱點，有廣闊的市場應(yīng)用前景。本實驗以SnCl4·5H2O和SbCl3為主要原料，采用水熱法制得納米級ATO導(dǎo)電粉體。運用X-射線衍射(XRD)，透射電鏡(TEM)等測試方法對ATO粉體進(jìn)行表征。并對粉體的導(dǎo)電性進(jìn)行測試。 研究了制備工藝(Sb/Sn摩爾比，反應(yīng)pH值，水熱反

2、應(yīng)溫度)對ATO粉體粒徑和導(dǎo)電性能的影響，并探討影響機理，得到最佳工藝參數(shù)，即Sb/Sn摩爾比為7％，反應(yīng)pH值取2，水熱反應(yīng)溫度在180℃。在此條件下制得ATO電阻率為2.1(Ω·cm)，粒徑為6.1(nm)。 水熱法很好地解決制備過程中存在的團(tuán)聚問題，對粉體分散性能有較好改善，制得粉體沒有明顯團(tuán)聚現(xiàn)象介紹了氧化物摻雜對ATO導(dǎo)電性改變的作用機制。以最佳工藝參數(shù)條件下制得的ATO粉體作為參考標(biāo)準(zhǔn)，研究了不同氧化物(氧化錳，氧化