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1、銀納米結(jié)構(gòu)的研究目前非?;钴S,但文獻合成的一維銀納米結(jié)構(gòu)尺寸大多比較單一、范圍窄,直徑約在100 nm或者60 nm左右,主要為五邊形或不規(guī)則截面的多晶和孿晶結(jié)構(gòu);合成的銀納米片的大?。M向尺寸,邊長)大多在100 nm左右,寬厚比(邊長和厚度之比)≤6。這種尺寸和形貌的單一性不利于調(diào)控銀納米結(jié)構(gòu)的性能和大規(guī)模應(yīng)用,因而尋找新的合成方法制備尺寸和形貌可調(diào)的銀納米結(jié)構(gòu)具有十分重要學(xué)術(shù)意義和廣泛的應(yīng)用前景。本文通過溶劑(水)熱法合成了截面為
2、矩形的銀納米線、單晶同軸納米電纜線,毫米長度的超長銀納米線以及邊長為微米級的銀納米片;表征和分析了合成產(chǎn)物的成分、形貌、結(jié)構(gòu)和部分性能。同時,提出了上述銀納米結(jié)構(gòu)的生成機理。 采用溶劑熱法,以乙二醇為還原劑,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)為晶體生長控制劑,F(xiàn)e3+為品種刻蝕劑,能大量合成出不同截面形狀的銀納米線。隨著[Fe3+]的增加,產(chǎn)物銀納米線的截面由正五邊形演變?yōu)榫匦?,直徑也?0 nm增加到300nm。這說明通過控制[Fe3+
3、]能有效地使銀晶種從孿晶轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉?,從而在動力學(xué)上實現(xiàn)了銀納米線尺寸和形貌的可控。 采用水熱法,以PVP為還原劑、氯化銀為前驅(qū)物,大量制備了高純度的、且能自組裝成有序陣列的截面為圓柱形的金屬銀/高分子納米同軸電纜線。考察了溫度、時間、濃度、溶劑和還原劑等因素對合成的Ag納米結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果顯示控制還原能力和溶劑種類能調(diào)控銀晶種、納米線的截面結(jié)構(gòu)和尺寸,可控制備出單晶銀納米線,銀納米線表面吸附的PVP是有序金屬銀/高分子納米同軸電
4、纜線形成有序陣列的關(guān)鍵。 用低溫(60℃)溶劑熱法,以二甲基甲酰胺為主還原劑和溶劑,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)為生長控制劑,硝酸銀為前軀體,大量制備了高純度的、邊長為微米級、寬厚比≥10的面心立方單晶銀納米片??疾炝瞬煌軇︺y納米結(jié)構(gòu)的影響,并提出了大尺寸的銀納米片的形成機理.本文為調(diào)控單晶銀納米片的邊長和寬厚比提供了一種新的可靠的動力學(xué)方法,制備的長邊長、大寬厚比的單晶銀納米片在聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料和電磁屏蔽材料方面有潛在的
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