硫化錫和硒化錫納米晶的溶劑熱法合成及表征.pdf

1、本論文把溶劑熱技術(shù)拓展到新穎形貌的微米管、納米帶及納米片的生長，分析了晶體的形成機理。通過透射電鏡、場發(fā)射掃描電鏡、X射線衍射儀、X射線能譜儀、紫外-可見光譜儀對合成的納米/微米晶進行了結(jié)構(gòu)表征分析與光學性能測試。主要工作如下： 利用離子交換反應，以Na2S為硫源，在乙二醇溶劑熱條件下大規(guī)模生長出了SnS納米帶。納米帶的寬度為50-300nm，長度達6μm。結(jié)構(gòu)分析表明，所合成的SnS納米帶均為單晶，擇優(yōu)的生長方向為[001]。

2、乙二醇溶劑對納米帶的生長有決定作用。 利用溶劑的堿性、配位能力對反應途徑的影響，采用原位聚合物模板輔助生長溶劑熱法在較低溫度下制備了SnS管狀微米晶。以硫脲為硫源，乙二胺為溶劑，并以聚丙烯酰胺作分散劑，所得產(chǎn)物主要是孔徑為0.4～0.8μm，長度為幾到十幾微米的六面體管狀微米晶。聚丙烯酰胺凝膠對管狀微米晶的生長有指導作用。 以乙二醇輔助乙二胺溶劑熱法，以氯化亞錫和亞硒酸鈉為反應物，在180℃反應3h合成出了厚度約為30n