肖特基二極管相關(guān)材料生長(zhǎng)及器件研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、該文以降低器件的串連電阻為目的,采用半導(dǎo)體薄膜材料作有源層.利用我們自行研制的超高真空化學(xué)氣相沉積(UHV-CVD)技術(shù)外延了亞微米級(jí)的Si薄膜,成功的制作了具有整流特性的高頻薄硅肖特基二極管的原型器件.此后又對(duì)用新型材料作SBD作了有益的嘗試,首次研制了ZnO薄膜肖特基二極管的原型器件,這標(biāo)志著我們從半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)向半導(dǎo)體器件的研制邁出了重要的一步.該文的具體工作可歸納為:1)薄硅外延片研制高頻肖特基二極管的原型器件.a)薄硅外延片

2、研制高頻肖特基二極管的原型器件.b)在薄硅外延片的生長(zhǎng)基礎(chǔ)上,探索制作肖特基二極管的相關(guān)工藝,研制高頻SBD原型器件.2)ZnO薄膜肖特基二極管原型器件的研究.a)利用磁控濺射技術(shù),首次在Si襯底上,以金屬Al做過(guò)渡層制備具有高C軸取向的ZnO晶體薄膜.b)探索適合ZnO肖特基二極管的制作工藝,選用Pt作肖特基電極研制肖特基二極管原型器件.c)在制作Pt/ZnO/Al SBD的基礎(chǔ)上,對(duì)ZnO SBD原型器件的結(jié)構(gòu)與工藝進(jìn)行改進(jìn),研制性

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