半導(dǎo)體發(fā)光二極管電子束輻照效應(yīng)的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、與傳統(tǒng)光源相比，LED由于具有節(jié)能，環(huán)保，壽命長等優(yōu)點而備受關(guān)注，成為第三代照明光源，因此提高LED各方面性能也成為當前各國半導(dǎo)體照明領(lǐng)域研究的熱點。
　　 本文研究了低能電子束輻照對AlGaInP基紅光LED和GaN基藍光LED發(fā)光性能的影響。電子束輻照具有效率高、成本低、控制精確等優(yōu)點，它可以減少半導(dǎo)體材料中的少數(shù)載流子壽命，進而影響其性能。經(jīng)過大量的輻照實驗后，根據(jù)實驗數(shù)據(jù)可以對比不同能量和不同劑量電子束輻照對LED發(fā)光強

2、度的影響，并且總結(jié)出電子束能量和劑量等參數(shù)與LED發(fā)光強度變化的關(guān)系。
　　 本實驗的主要工作及結(jié)論如下:
　　 1、用電子束輻照紅光LED和藍光LED，對比未輻照和輻照之后的外延片的PL譜，確定電子束輻照能夠提高LED的發(fā)光強度。
　　 2、利用不同的輻照源（包括電子束，X射線和γ射線）輻照紅光LED，對比PL譜可知電子束輻照是效率最高的輻照源。
　　 3、利用不同能量和不同劑量的電子束輻照LED，對比

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