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文檔簡介
1、二氧化錫(SnO2)作為一種寬禁帶、直接帶隙的N型半導體材料,其納米結(jié)構(gòu)在透明電極、光致發(fā)光、氣敏傳感、光催化等領域有著較為廣泛的應用前景;本文以多孔SnO2納米材料為研究對象,詳細描述了采用不同聚苯乙烯小球(Polystyrene Spheres,簡稱PS微球)模版制備不同孔徑的SnO2納米結(jié)構(gòu),并對制得的多孔結(jié)構(gòu)的光致發(fā)光性能進行了進一步研究,最后對多孔SnO2納米結(jié)構(gòu)的光催化性能進行了系統(tǒng)的研究。
本研究主要內(nèi)容包括:⑴
2、以苯乙烯,純凈水為原材料,利用水浴法加入聚合促進劑過硫酸鉀在70℃制得PS懸濁液。在制備過程中,通過對實驗條件的反復探索,最終通過控制反應物濃度及反應條件制得了以200 nm、250 nm、300 nm、400 nm為代表的不同直徑的顆粒均勻的納米PS微球。最后采用垂直沉積法,在玻璃基片上制得排列緊密均勻的PS微球模版。⑵利用溶膠法以無水乙醇為溶液,加入四水合四氯化錫(SnCl4·4H2O)80℃保持10 h制得溶液,室溫靜置24 h陳
3、化處理得溶膠溶液。以沉積了PS微球的模板為基底,滴加該溶液,經(jīng)過120℃烘干之后放入馬弗爐中以高于500℃溫度進行退火,最后冷卻至室溫即可得到有序多孔SnO2納米結(jié)構(gòu)。對樣品的光致發(fā)光(photoluminescence,簡稱PL)光譜進行研究發(fā)現(xiàn),除了一個中心在600nm的左右的寬發(fā)射峰外,還有一個中心在430nm左右的發(fā)射峰。分析認為430nm的發(fā)光帶是有樣品的特殊表面態(tài)及其內(nèi)部缺陷引起的。⑶通過對制備的SnO2多孔納米結(jié)構(gòu)光催化效
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