半導(dǎo)體CdS-,1-x-Se-,x-納米材料的制備及其光吸收性能研究.pdf

1、本文主要研究固溶體半導(dǎo)體CdS<,l-x>Se<,x>納米材料的制備及其光吸收性能。首先用溶劑熱的方法，使用二氯化鎘(CdCl<,2>·2.5H<,2>O)、硫粉(S)、硒粉(Se)為原料，用乙二胺作溶劑，在180℃的溫和條件下，加熱12小時(shí)，通過(guò)改變?cè)现辛颉⑽慕M分，合成了固溶體半導(dǎo)體CdS<,l-x>Se<,x>(0≤x≤1)，產(chǎn)物用XRD來(lái)分析表征，并運(yùn)用產(chǎn)物的X光電子能譜(XPS)確定產(chǎn)物各元素的組分，發(fā)現(xiàn)產(chǎn)物的組分和最初試劑

2、的組分相一致。通過(guò)產(chǎn)物的TEM圖和選區(qū)電子衍射圖SAED，確定產(chǎn)物的形貌、尺寸，并通過(guò)產(chǎn)物的選區(qū)衍射圖SAED，進(jìn)一步確定產(chǎn)物的晶體結(jié)構(gòu)。通過(guò)測(cè)得產(chǎn)物的XRD圖，計(jì)算出不同組分的晶格常數(shù)α、c，研究α、c與x的關(guān)系，晶格常數(shù)α從CdS的0.41287nm變化到CdSe的0.42944nm，晶格常數(shù)c從CdS的0.66830nm變化到CdSe的0.70024nm，變化規(guī)律遵從Vegard定律。通過(guò)離心粒徑選擇，得到粒徑均勻產(chǎn)物，測(cè)出產(chǎn)物的