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文檔簡介
1、本文對穩(wěn)定非晶硅電池、非晶硅疊層電池及和電池沉積有關的各層材料進行了研究和優(yōu)化。研究表明：優(yōu)化p型窗口層條件，并在電池p/i界面間制備適當厚度硼碳漸進緩沖層改善界面的晶格匹配，可以提高電池的開路電壓和填充因子；在非晶硅/微晶硅相變區(qū)附近，制備穩(wěn)定非晶硅電池，并對氫稀釋非晶硅電池本征層進行優(yōu)化，在氫稀釋硅烷濃度6％的情況下得到了光照1000小時衰退率小于14％的穩(wěn)定非晶硅太陽電池。利用氫稀釋硅烷濃度6％制備的電池做非晶硅疊層電池頂電池，不
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