納米碳纖維-聚乙烯納米復合材料電性能的研究.pdf

1、采用化學氣相沉積法制備直線型的納米碳纖維(CNFs)，采用微波法對CNFs進行表面化學改性，分別將Ni粒子、CNFs以及表面改性后的CNFs添加到半導電屏蔽料中，制成單層樣片，再與LDPE復合制成雙層結(jié)構(gòu)，研究不同填料在聚合物中的摻雜與取向?qū)秃喜牧想娦阅艿挠绊憽?br>　　采用納米Cu做催化劑，在350℃條件下通過化學氣相沉積法制備了直線型的CNFs，并采用微波法在CNFs表面沉積一層致密且分散性較好的Ni粒子對其進行表面金屬化處理。

2、
　　通過機械共混法制備雙層樣片。分別將Ni粒子、CNFs以及表面改性后的CNFs添加到半導電屏蔽料中，高溫壓制過程中在磨具兩端施加磁場，表面改性的CNFs在半導電料中發(fā)生取向，再把這些樣片與LDPE進行壓制復合，形成雙層樣片。對添加有表面改性的CNFs的樣片進行斷面掃描分析，可以看到CNFs沿著取向的方向排列，添加物在基體中具有良好的分散性和界面結(jié)合性。
　　在室溫下對制備的雙層樣片進行空間電荷分布以及介電常數(shù)的分析。對于

3、半導電層/絕緣層雙層樣片，CNFs的摻雜在一定程度上束縛了半導電層內(nèi)部雜質(zhì)離子的移動，使各種雜質(zhì)離子難以形成空間電荷包。對于純Ni摻雜的樣片，與不取向的樣片對比，取向的樣片在一定程度上改變了載流子的運輸方式，抑制了空間電荷由電極向絕緣層的注入。對于表面改性的CNFs樣片，短路時其殘余的空間電荷量均很少，CNFs的取向摻雜增強了半導電層沿厚度方向?qū)ν饧与妶龅南魅踝饔?，使得注入絕緣層中的空間電荷量更少。
　　取向的表面改性CNFs對聚