準(zhǔn)一維納米材料的光電子能譜及其場發(fā)射性能研究.pdf

1、本論文對準(zhǔn)一維納米材料的光電子能譜及其場發(fā)射性能進(jìn)行了較為系統(tǒng)的研究，主要工作包括以下幾個方面： 1.調(diào)試并校準(zhǔn)了光電子能譜儀，建立了一套可靠的功函數(shù)測試方法。 2.利用紫外光電子能譜技術(shù)研究了氧化銅、氧化鎢納米線的功函數(shù)及其價電子能帶結(jié)構(gòu)，同時也研究了氧化銅納米線的場發(fā)射熱效應(yīng)。發(fā)現(xiàn)氧化鎢一維納米材料的功函數(shù)在4.5 eV到4.9 eV之間，氧化銅一維納米材料的功函數(shù)在5.2 eV到5.5 eV之間。同時針對氧化銅一維

2、納米材料的場發(fā)射熱效應(yīng)進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)隨溫度升高，場發(fā)射性能變好，但功函數(shù)隨之升高。 3.首次真實(shí)地報道了利用氬離子刻蝕技術(shù)將三氧化鎢還原為金屬鎢的過程，并利用X射線光電子能譜對還原過程進(jìn)行了原位研究。研究首次報道了鎢的全部六種化學(xué)狀態(tài)，即+6、+5、+4、+2、0以及表面缺陷態(tài)。本研究還初步討論了氬離子轟擊可以將金屬氧化物還原為金屬態(tài)的基本原理。 4.首次真實(shí)地報道了利用氬離子刻蝕技術(shù)制備非晶金屬鎢尖錐陣列的過程，并對