IGBT串聯(lián)模塊化的研究.pdf

1、隨著電力系統(tǒng)等高壓大功率應(yīng)用場(chǎng)合對(duì)電力電子技術(shù)需求日益增加,電力電子變流器所處理的電壓和電流容量急劇上升,大功率變流器對(duì)于功率器件的電壓等級(jí)需求不斷提高。盡管功率半導(dǎo)體器件技術(shù)的快速發(fā)展,讓全控型高壓器件的制作成為了可能,但目前的技術(shù)仍難以滿足實(shí)際應(yīng)用的需求。當(dāng)單個(gè)器件本身無(wú)法滿足應(yīng)用的需要時(shí),將功率器件串聯(lián)使用,是現(xiàn)在應(yīng)對(duì)高電壓應(yīng)用的一個(gè)重要方向。
　　 IGBT器件作為新型全控器件的代表,具有優(yōu)于其他電力電子器件的性能,論文

2、重點(diǎn)研究IGBT芯片串聯(lián)模塊化相關(guān)問(wèn)題。
　　 論文首先介紹了IGBT功率模塊的封裝結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)要求,并利用計(jì)算機(jī)仿真對(duì)IGBT模塊的熱學(xué)及電氣特性進(jìn)行了研究?；仡櫫薎GBT串聯(lián)技術(shù)的研究現(xiàn)狀,對(duì)串聯(lián)均壓技術(shù)進(jìn)行了分析和討論,提出了在標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝內(nèi)部進(jìn)行IGBT芯片級(jí)串聯(lián)的目標(biāo),并選擇了門(mén)極有源鉗位的方案作為串聯(lián)模塊化的均壓策略。
　　 在此基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)并制作出了3300V串聯(lián)IGBT模塊樣品,為了測(cè)試串聯(lián)模塊的性能,搭建