有源相控陣?yán)走_(dá)T-R組件研制.pdf

1、T/R組件在當(dāng)今相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)中占有舉足輕重的地位，本文根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo)提出了設(shè)計(jì)方案，研制了一種基于功率合成技術(shù)的C波段高功率T/R組件。首先研究了相控陣?yán)走_(dá)T/R組件的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，結(jié)合研制背景、指標(biāo)要求以及實(shí)驗(yàn)條件，設(shè)計(jì)了本課題中T/R組件的總體方案，然后選用合適的技術(shù)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了部分功能電路：使用微帶電路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了低噪聲放大器和3dB電橋功率分配、合成網(wǎng)絡(luò)；研究并利用了功率合成技術(shù)設(shè)計(jì)了大功率輸出；使用了PIN管芯設(shè)計(jì)了微帶限幅器，也掌握

2、了用PIN二極管制作單刀雙擲開(kāi)關(guān)的方法。最后制作了實(shí)物，本文分別給出了仿真原理圖、版圖以及實(shí)物圖，并為功能電路單獨(dú)制作了夾具進(jìn)行測(cè)試與調(diào)試，達(dá)到預(yù)期的效果以后以后再裝入大的盒體中進(jìn)行整體測(cè)試與調(diào)試。 大功率功放管選用內(nèi)匹配好的管子，前級(jí)推動(dòng)選用了MMIC芯片。單刀雙擲開(kāi)關(guān)、數(shù)字移相器、數(shù)控衰減器這些微波控制電路都選用MMIC芯片，但是設(shè)計(jì)了合理的饋電電路與驅(qū)動(dòng)控制電路。直流饋電電路根據(jù)實(shí)際情況選擇了電感與電容組合和高阻線與扇形線

3、組合的兩種方式。最后為整個(gè)T/R組件制作了保護(hù)電路，防止了因加電不當(dāng)或者溫度過(guò)高而造成組件的燒毀，提高了組件工作的可靠性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示接收通路增益大于21dB、噪聲系數(shù)小于3.5dB、輸入輸出駐波小于1.5，對(duì)發(fā)射支路也進(jìn)行了大量的調(diào)試與測(cè)試，輸出功率大于10.79W，輸出功率起伏小于±0.5dB，發(fā)射效率大于19.1％，比指標(biāo)要求略微差些，還是達(dá)到了良好的效果。由于實(shí)驗(yàn)條件等原因，本組件采用的是介電常數(shù)為3.42的普通Rogers基板