GaAs基片吸附脫附的研究.pdf

1、1965年，光電發(fā)射領(lǐng)域出現(xiàn)了一種新型的光電發(fā)射材料GaAs-Cs。它具有很多優(yōu)點(diǎn)，例如高量子效率、高靈敏度以及較小的暗發(fā)射。因此這種新型的光電發(fā)射材料引起了國(guó)內(nèi)外的廣泛重視。此后，Ⅲ-Ⅴ族化合物(GaAs、GaN、InP等)光電發(fā)射材料制備的負(fù)電子親和勢(shì)(NEA)光電陰極，便成為了廣泛研究的課題。
　　 激活工藝是NEA光陰極制備過(guò)程中尤為重要的一個(gè)步驟。如果說(shuō)陰極材料的體性質(zhì)由外延生長(zhǎng)工藝決定，那么陰極材料的表面性質(zhì)就直接取

2、決于激活工藝。在激活工藝進(jìn)行之前，必須進(jìn)行基片的清洗，清洗工藝包括化學(xué)清洗和高溫加熱清洗兩個(gè)步驟。吸附在基片表面的油脂以及部分氧化物可以在化學(xué)清洗過(guò)程中通過(guò)化學(xué)試劑去除，而基片表面的碳化物和氧化物則是通過(guò)高溫加熱清洗去除的。最早出現(xiàn)的GaAs激活工藝是通過(guò)在GaAs基片表面進(jìn)行Cs、O的交替覆蓋，降低表面勢(shì)壘，獲得負(fù)電子親和勢(shì)表面;之后，人們便開(kāi)始了對(duì)銫氧激活工藝的深入研究，尤其是對(duì)銫氧源電流控制方法的研究。
　　 為了改進(jìn)激活