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1、該文論述了原納米載銀硅基氧化物復(fù)合材料不適合靜電干粉搪瓷工藝的根本原因是原納米復(fù)合粉體的電阻率太小,不能滿足靜電干粉搪瓷工藝對(duì)靜電干粉搪瓷粉末性能要求.為了提高其電阻率,該文制定了用納米硅烷化合物來包敷納米載銀硅基氧化物的方案.該文論述兩種制備納米硅烷化合物的方法,即用激光合成法和高能球磨法.激光合成法制備納米硅烷化合物是比較理想的方法,而用高能球磨法來制備納米硅烷化合物,具有較高的實(shí)際意義,是根據(jù)硅烷化合物在靜電干粉搪瓷工藝中所起的作
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