2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、半導(dǎo)體納米材料所具有的各種量子效應(yīng)和其獨特的性質(zhì),使其在未來的各種光、電、機(jī)械等功能器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。In2O3和InAs在半導(dǎo)體材料的研究中占有重要地位,兩者在光學(xué)及電學(xué)方面都有著很優(yōu)異的性能及廣泛的應(yīng)用。本論文主要以這兩種半導(dǎo)體材料為研究對象,采用較為簡便的工藝來合成這些材料。通過XRD、TA、SEM、TEM、HRTEM、SAED、FT-IR和熒光光譜等測試手段對樣品進(jìn)行了結(jié)構(gòu)、形貌及光學(xué)性能等特性的表征,通過測試結(jié)果,不斷

2、優(yōu)化制備工藝,提高產(chǎn)品性能。
   以InCl3·4H2O、KBH4、As2O3和三乙醇胺為原料,采用溶劑熱-退火法制備出了InAs納米顆粒。用XRD、TEM和拉曼光譜儀對產(chǎn)物的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。通過研究工藝條件、反應(yīng)物的摩爾配比和退火溫度對產(chǎn)物的物相和形貌的影響,得出制備InAs納米顆粒的最佳工藝參數(shù),其最佳條件為:反應(yīng)物As2O3與InCl3·4H2O的摩爾配比為1:1,反應(yīng)與退火溫度分別為160℃和500℃。TEM分析表明

3、,在最佳條件下制備的InAs納米顆粒為均勻球體,粒度分布均勻,分散性較好,粒徑約為35nm。并對產(chǎn)物的形成過程進(jìn)行了初步探討。
   在120~180℃范圍內(nèi),以InCl3·4H2O、KOH、CTAB和去離子水為原料,采用水熱法制備了In(OH)3微米磚,再在350℃的空氣中熱處理10min,得到了形貌相同的In2O3。XRD測試結(jié)果表明In(OH)3為立方晶系結(jié)構(gòu),隨著反應(yīng)溫度的升高,樣品的衍射主峰積分強(qiáng)度逐漸增強(qiáng),這說明樣品

4、的結(jié)晶度逐漸增強(qiáng)。SEM分析表明,隨著反應(yīng)溫度的升高,In(OH)3微米磚的尺寸越來越大。如果用In(NO3)3·5H2O來代替InCl3·4H2O,在相同條件下得到的是In(OH)3納米顆粒。熒光光譜分析表明,In2O3微米磚發(fā)藍(lán)綠光。可見光的發(fā)射主要來自于與氧有關(guān)的缺陷,這些氧缺陷會在能帶中形成新的能級,其發(fā)射會轉(zhuǎn)移至更低的能級。
   以InCl3·4H2O、甲酰胺、乙二醇和去離子水為原料,采用溶劑熱法制備了In(OH)3

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