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1、Heterojunction with Intrinsic Thin-layer (HIT)結(jié)構(gòu)使得在低溫工藝下制備高性能的太陽(yáng)能電池成為可能,是目前太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
本文從HIT 電池的效率損失機(jī)制入手,通過(guò)制備工藝的改進(jìn)減少相應(yīng)的損失以提高電池性能。首先在HIT 電池的背面制備鋁背場(chǎng),通過(guò)工藝優(yōu)化,在燒結(jié)溫度為700 ℃
時(shí)制備出有效少子壽命分布均勻,平均值大的樣品,抑制了少數(shù)載流子在硅片背表面
2、的復(fù)合;在制備鋁背場(chǎng)時(shí)形成的良好鋁-硅合金有很低的電阻率,作為電池的背電極可以形成良好的歐姆接觸。通過(guò)優(yōu)化本征層和n型摻雜層非晶硅薄膜的制備工藝,得到具有較高光學(xué)帶隙的非晶硅薄膜,同時(shí)n型摻雜層具有較高的電導(dǎo)率。分別用濕法刻蝕(HF)和干法刻蝕(NH3)對(duì)異質(zhì)結(jié)界面進(jìn)行預(yù)處理,可以有效鈍化界面,減少因界面復(fù)合而造成的效率損失。并通過(guò)比較得出,干法刻蝕具有更好的鈍化效果。最后在單晶硅襯底表面制備出形狀規(guī)則、大小均勻的金字塔型絨面結(jié)構(gòu),使表
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