化學機械拋光的流動性能和溫度場的計算.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路(Integrated Circuit，IC)組件的特征尺寸的逐漸減小，集成度的提高、多層布線數(shù)目的增加以及新材料的引入，對其表面的平整度要求越來越來高；另外，為了提高計算機磁盤的存儲密度，磁頭和磁盤的表面的粗糙度需要到達納米級，表面的全局平整度要求已成為當今電子工業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)，而傳統(tǒng)的表面加工手段已很難達到加工要求，而化學機械拋光(Chemical MechanicalPolishing/Planarization，CM

2、P)已成為唯一的最有效加工手段，從實踐中廣泛地發(fā)展起來，對CMP的研究也成為當今的熱點問題。 本文主要是應用流體力學理論對其流動性能的研究，首先推導了CMP拋光過程一般情況下的流動方程，介紹了流動方程求解過程，給出了一個典型工況下的壓力分布，法向載荷、轉(zhuǎn)矩、節(jié)距、姿態(tài)角和拋光墊轉(zhuǎn)速之間的變化關系，并進一步分析和考慮了拋光墊表面特性和納米級粒子作用下的流動性能，同時運用熱力學理論，對在拋光墊粗糙接觸下的溫度場進行了模擬和計算，研究

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