基于可制造性設計研究及測試芯片設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路進入超深亞微米階段，半導體制造工藝中廣泛采用了一些新技術一一亞波長光刻技術、銅電鍍技術、化學機械拋光技術。這些新技術在帶來好處的同時，也產生了一些新缺陷，這些缺陷對芯片的電學性能及良率產生了一定的影響，特別是在超深亞微米階段，以往不予考慮的缺陷現(xiàn)在卻對芯片造成致命的威脅，甚至使芯片失效。 本文從化學機械拋光和測試芯片兩個方面對可制造性和成品率問題展開了分析和研究。首先介紹了可制造性設計和集成電路設計流程；其次分析了目

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