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3、規(guī)定)本人簽名:導(dǎo)師簽名:量域燃)日期:至型l!墨,!1日期:幽:3:llZ摘要準(zhǔn)確地測量微波集成電路及高速器件的高頻特性,是微波集成電路與器件發(fā)展的重要條件。傳統(tǒng)的測試方法是把芯片封裝后放在測試盒中進(jìn)行測試,由于封裝的影響,無法精確地得到集成電路及其器件的高頻性能。微波在片測試技術(shù)的出現(xiàn)解決了這一難題。應(yīng)用微波在片測試技術(shù),在半導(dǎo)體芯片封裝之前,直接在芯片上對集成電路和器件進(jìn)行高頻性能測試,實現(xiàn)在片篩選,提高了微波半導(dǎo)體工業(yè)的生產(chǎn)效率
4、。本文主要研究了用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀與微波探針臺測量在片器件的問題。首先從矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的測量體系結(jié)構(gòu)入手,分析測量過程中的誤差來源與描述方法,介紹誤差修正理論的基本原理。通過對TRL校準(zhǔn)方法原理的分析與公式推導(dǎo),分析了TRL校準(zhǔn)方法的本質(zhì),并編制了相應(yīng)的TRL校準(zhǔn)程序。根據(jù)微波探針的尺寸和所需要測量的頻率范圍設(shè)計了對應(yīng)的TRL校準(zhǔn)件,并對TRL校準(zhǔn)方法中多條延遲線的選取問題做了一些探討。最后,用PC機(jī)、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀和微波探針臺搭建了在片
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