具有P反型層的FDLDMOS建模及數(shù)值分析.pdf_第1頁
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1、安徽大學(xué)碩士學(xué)位論文具有P反型層的FDLDMOS建模及數(shù)值分析姓名：肖小虎申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：電路與系統(tǒng)指導(dǎo)教師：陳軍寧；高珊201005AbstractIIIAbstractpowersemiconductdeviceresearchhasbecomememeimptantwiththerapiddevelopmentofpowerintegratedcircuits.LDMOS(LateralDoubleDiffusedMOSF

2、ET)isalateralhighvoltagedevices.allofitselectrodeslocateatthesurfacethuseasiertobeintegratedwithcmostechnology.meover，ithasalotofadvantagesuchashighbreakdownvoltagelargegianlowdisttion.soithasbeenwidelyusedinRFareas.nowt

3、heLDMOSdesignisfocusonhowtogethighbreakdownvoltagewithalowonresistanceensureahigherstabilityatthesametime.Fieldplatetechnologyisfrequentlyusedasaterminaltechnology.Goodfieldplatedesigncansmoothingtheelectricreducingthepe

4、akelectricfieldsoleadtoalowbreakdownvoltageweaknthehotcarriereffect.BasedonthisthispaperusetwodimensionalsimulatsofewareMEDICItoanalysemanyparametersofldmossuchashighvoltagefieldplatethedriftregionetc.Thesimulationanalys

5、isindetailSOAhightemperaturebreakdownacteristicstheseanalysiswillhelpdesignerstooptimizethedesignoftheLDMOS.Thefirstchapterdescribedthedevelopmentofintegratedcircuitspowerdeviceshistythenpointsoutthesignificanceofpowerde

6、vicesThenthegeneralLDMOSmodelwasintroducedcomparedit’sstructureperfmancetechnologydifferencestonmalMSOFETsothepavethewaytofollowingchapters.LDMOSfieldplatedesignisanintegralpartoftheholedesign.InthispaperMedicisimulation

7、softwareisusedtoanlaysesinglestepfieldplateLDMOSperfmance.Accdingtotheresultsthelengthpositionofthepolysiliconfieldplatethebiasingthedriftdopingconcentrationgateoxidethicknesswillhaveacertainimpactonbreakdownvoltage.Meov

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