SiC基一維納米材料的結(jié)構(gòu)調(diào)控及性能研究.pdf

1、隨著納米科技的發(fā)展，一維半導(dǎo)體納米材料的研究與應(yīng)用越來越引起更為廣泛的關(guān)注。SiC基-維納米材料不僅集中了SiC和-維納米材料的優(yōu)點，還在電磁、光、熱和機(jī)械性能等方面有著優(yōu)異的性質(zhì)，在復(fù)合材料、電子器件等領(lǐng)域極具發(fā)展?jié)摿?。SiC納米異質(zhì)結(jié)材料在繼承SiC-維納米材料的優(yōu)點的基礎(chǔ)上，又集合了其它材料的優(yōu)異性質(zhì)，進(jìn)一步拓寬了其應(yīng)用領(lǐng)域。因此，研究SiC-維納米材料和SiC納米異質(zhì)結(jié)的合成及性質(zhì)具有深遠(yuǎn)意義。
　　 本論文通過圍繞Si

2、C納米異質(zhì)結(jié)的可控生長展開研究，以研制新穎的異質(zhì)結(jié)構(gòu)為目標(biāo)，利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)為制各手段，優(yōu)化制備工藝參數(shù)條件，達(dá)到大面積、高質(zhì)量可控地制各出SiCl-SiCO2異質(zhì)結(jié)、SiC—CNT／C異質(zhì)結(jié)陣列和SiC/C納米電纜，實現(xiàn)對SiC基-維納米材料結(jié)構(gòu)-性能的調(diào)控。
　　 通過系統(tǒng)研究其XRD、SEM、TEM、拉曼以及XPS等數(shù)據(jù)，分析并提出了它們的生長機(jī)制，相關(guān)研究成果如下：
　　 (1)制各直徑約為100nm

3、，長度為幾十微米3c-SiC納米線，得到SiC納米線的最優(yōu)工藝參數(shù)，其生長機(jī)制遵循VLS生長機(jī)制；
　　 (2)制各三維網(wǎng)狀SiC-SiO2核殼異質(zhì)結(jié)，證明其具有優(yōu)異的紫外發(fā)光能力，其生長機(jī)制遵循VLS生長機(jī)制；
　　 (3)制備新穎的SiC-CNT／C異質(zhì)結(jié)陣列，其結(jié)構(gòu)為無定形C層包裹著的多壁碳納米管陣列，在CNT／C的頭部有SiC顆粒，其生長機(jī)制為頂端生長機(jī)理和密度限制機(jī)理共同作用：
　　 (4)制備一種新型