大電流高開(kāi)關(guān)比非晶硅二極管的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該論文主要內(nèi)容分為四章,是為了配合美國(guó)3D-ROM公司關(guān)于3D-ROM的研究與開(kāi)發(fā).非晶硅二極管是3D-ROM的重要組成部分,它性能的好壞,決定了3D-ROM能否實(shí)現(xiàn)EPROM(電可擦除只讀存儲(chǔ)器)及單位面積存儲(chǔ)容量的大小.該文主要內(nèi)容分為四章,首先在第一章介紹了非晶硅薄膜二極管的發(fā)展現(xiàn)狀和特點(diǎn),并簡(jiǎn)要介紹了可研究的方向.第二章對(duì)作為二極管襯底電極的ZnO材料進(jìn)行了研究,詳細(xì)介紹了ZnO的導(dǎo)電機(jī)理和制備方法,解釋了ZnO材料在二極管中的

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