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文檔簡介
1、碳納米管(CNTs)是由石墨卷曲形成的直徑在納米尺度的空心圓柱體,由于CNTs自身具備獨特的性能而被應用于場發(fā)射材料、電子器件、儲氫媒體和分子載體等領域,其中最具潛力的應用是用作儲氫(H)材料和儲存鋰(Li)的載體。發(fā)展高能密度化學電源是解決未來交通、環(huán)境和資源等一系列重大問題的關鍵技術,而能量密度最高的體系幾乎都是采用H和Li為能源材料。從目前的發(fā)展狀況來看,現(xiàn)有的儲H和儲Li材料均存在著實際比能量偏低的缺陷,尚不能滿足相關技術應用的
2、需求。CNTs作為儲氫和儲鋰材料可以有效提高比能量,受到研究者的重視。
科學計算是繼理論科學和實驗科學之后,人類認識與征服自然的第三種科學方法。計算機模擬技術在材料科學與工程中扮演著越來越重要的角色,相當數(shù)量的計算機模擬方法已經應用于儲能材料的研究領域。計算采用基于第一原理的MaterialStudio中的CASTEP軟件,CASTEP軟件計算方法建立在密度泛函理論的基礎上,包括了廣義梯度近似和局域密度近似,本論文采用了廣
3、義梯度近似下的Perdewm,Burke和Ernzerhof交換關聯(lián)泛函方法。
論文通過密度泛函理論首先研究了單個H原子和兩個H原子在CNTs表面的吸附。計算結果表明,單個H原子以化學吸附的形式穩(wěn)定的存在于CNTs的表面,其費米能級處引入了雜質態(tài),是吸附的H原子與產生變形缺陷處的C原子共同作用的結果;兩個H原子在CNTs表面的吸附共分為三種不同的構型,最穩(wěn)定的構型是兩個H原子吸附在兩個相鄰的C原子上,這種構型其費米能級處無
4、雜質態(tài)。理論分析發(fā)現(xiàn)吸附H原子時引起的CNTs不對稱變形更易產生雜質態(tài)。
論文分析了硅(Si)原子和硼(B)原子摻雜CNTs的性能,以及摻雜后的壁碳納米管吸附Li原子的幾種可能的幾何結構。單個Si原子和B原子分別摻雜單壁碳納米管對CNTs的態(tài)密度影響輕微,但是降低了摻雜原子周圍區(qū)域的電子密度,使電子分散到與之相連的C原子上。
計算發(fā)現(xiàn)Li原子在摻雜CNTs上的吸附增強。電子結構分析表明摻雜原子周圍形成一個低電
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